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LED Simulator - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

LED Simulatorの製品一覧

1~3 件を表示 / 全 3 件

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Organic LED simulator

Physical models and analyses for calculations using various types of organic LEDs as examples.

Introducing various simulations of organic LEDs (Organic Light-Emitting Diodes) using the Crosslight device simulator APSYS. Quantum drift-diffusion model and analysis for organic semiconductors. Light extraction through 3D ray-tracing (non-microcavity mode). Modeling of electroluminescent spectra accompanied by Frenkel excitons. Calculations including microcavity effects. Application to active matrix organic EL (AMOLED). Analysis of white organic EL (WOLED) using a triple diffusion layer. Comparison of characteristics of low-voltage PIN structures with simulation and experimental results. Analysis of tandem organic EL (OLED).

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InGaN/GaN quantum dot LED simulator

Device analysis tool for InGaN/GaN quantum dot LEDs

Explaining the model of quantum dots using LED devices as an example. Simulating the emission spectra (EL spectrum) for different sizes of quantum dots. Additionally, comparing with experimental results. Simulating the I-V characteristics with and without quantum transport, and comparing the results. Analyzing and comparing quantum efficiency. Comparing quantum efficiency and emission spectra due to differences in the density of quantum dots. Furthermore, comparing the characteristics of LED devices made with quantum dots and quantum wells.

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Crosslight LED simulator

Analysis tool for the effects of polarization charge in blue light-emitting diodes and optimization of device structure.

Various physical models. (k.p. theory based on a multiple quantum wells model according to the urtz mineral materials. Polarization surface charge/self-consistent model. Many-body gain/spontaneous emission theory for quantum wells or quantum dots. Non-equilibrium quantum transport model.) Comparison of the presence or absence of the effect of polarization charge in the characteristics of InGaN/GaN MQW blue LEDs. (Band diagram, EL spectrum, I-V curve, internal quantum efficiency (IQE)). Additionally, consideration of structural optimization. (Dependence on indium composition, dependence on the number of quantum wells, dependence on the thickness of the quantum well/barrier layer.)

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